[发明专利]防静电电路无效
| 申请号： | 201310233838.0 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103280787A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 任佳 | 申请（专利权）人： | 成都锐奕信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防静电电路，包括PMOS管Q1和NMOS管Q2，所述的PMOS管Q1的源极连接电源线，NMOS管Q2的源极连接地线，PMOS管Q1和NMOS管Q2的漏极一起连接到终端的IO端口，PMOS管Q1和NMOS管Q2两者的源极之间连接有一个二极管D，PMOS管Q1的漏极和栅极之间连接有一个衬底电容C1，NMOS管Q2的漏极和栅极之间连接有一衬底电容C2。本发明的有益效果是：本电路不仅能够提供ESD防护电路所需要的4条静电泄放通路，还具有结构简单、成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 电路 | ||
【主权项】：
防静电电路，其特征在于，包括PMOS管Q1和NMOS管Q2，所述的PMOS管Q1的源极连接电源线，NMOS管Q2的源极连接地线，PMOS管Q1和NMOS管Q2的漏极一起连接到终端的IO端口，PMOS管Q1和NMOS管Q2两者的源极之间连接有一个二极管D，PMOS管Q1的漏极和栅极之间连接有一个衬底电容C1，NMOS管Q2的漏极和栅极之间连接有一衬底电容C2。
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