[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括栅电极生成步骤，栅介质层生成步骤，有源区及源漏电极区生成步骤，以及钝化层和电极引出步骤。所述有源区及源漏电极区生成步骤是在栅介质层上形成金属氧化物半导体层，以及在弱酸性或弱碱性溶液中具有高腐蚀速率的透明导电层，利用透明导电层和半导体层在弱酸性或弱碱性溶液中的腐蚀速率的差异，形成源漏电极区。本发明可以简化器件的制作工艺，节省制造成本，并可以实现栅介质有源层和源漏电极层的连续淀积，提高器件的性能。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，其步骤包括：1)在衬底上制备栅电极；2)在衬底正面生成覆盖在所述栅电极之上的栅介质层；3)在所述栅介质层上连续生成在弱酸性溶液中具有低腐蚀速率的金属氧化物半导体层，和在弱酸性溶液中具有高腐蚀速率的透明导电层，并通过光刻和刻蚀形成有源层图形；所述金属氧化物半导体层为下列中的一种：氧化铟镓锌、氧化锡、氧化铟、氧化鎘铟、掺锑氧化锡、掺氟氧化锡、氧化铟锡；所述透明导电层为下列中的一种：氧化锌、氧化锌铝、氧化锌硼；4)利用透明导电层和金属氧化物半导体层在弱酸性溶液中的腐蚀速率的差异，形成源漏电极区；5)生长钝化层并制作电极和互联线。