[发明专利]半导体制程装置在审
| 申请号： | 201310234165.0 | 申请日： | 2013-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104241163A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 林武郎;郑煌玉;郭明伦;刘又瑋;陈世敏;黄文泰 | 申请（专利权）人： | 技鼎股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体制程装置，适用于进行光电半导体之快速升降温制程。半导体制程装置包括制程腔体及至少一个加热源。制程腔体包括散热底板及环状金属侧壁，环状金属侧壁配置于散热底板上且与散热底板直接接触。而加热源配置于制程腔体内。本发明的半导体制程装置仅于制程腔体上方设置加热源，以对制程腔体内部的物体进行单向加热。而且，制程腔体是直接与导热率佳的散热底板接触，因此在完成加热制程后，可加速制程腔体内的物体降温速度，以缩短降温时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体制程装置，适用于进行光电半导体的快速升降温制程，其特征在于：所述半导体制程装置包括制程腔体及至少一个加热源，所述制程腔体包括散热底板以及配置于所述散热底板上且与所述散热底板直接接触的环状金属侧壁，所述至少一个加热源配置于所述制程腔体内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
