[发明专利]沟槽的制造方法

摘要

本发明提供一种沟槽的制造方法。该方法包括以下步骤提供一基板；形成至少一绝缘层于所述基板之上；形成一硬罩幕层于所述绝缘层之上；图案化所述硬罩幕层，以得到具有一开口的图案化硬罩幕层；进行一第一蚀刻步骤，沿着所述开口蚀刻所述绝缘层，以形成一沟槽；填充一光阻于所述沟槽中与所述图案化硬罩幕层之上；进行一第二蚀刻步骤，以蚀刻部分的所述图案化硬罩幕层且曝露出所述图案化硬罩幕层；进行一第三蚀刻步骤，以移除所述图案化硬罩幕层；以及进行一第四蚀刻步骤，以移除所述光阻。采用本发明的沟槽的制造方法在蚀刻步骤所产生的高分子可轻易提供硫酸移除，且不会伤害绝缘层。

主权项

一种沟槽的制造方法，包括以下步骤：提供一基板；形成至少一绝缘层于所述基板之上；形成一硬罩幕层于所述绝缘层之上；图案化所述硬罩幕层，以得到具有一开口的图案化硬罩幕层；进行一第一蚀刻步骤，沿着所述开口蚀刻所述绝缘层，以形成一沟槽；填充一光阻于所述沟槽中与所述图案化硬罩幕层之上；进行一第二蚀刻步骤，以蚀刻部分的所述图案化硬罩幕层且曝露出所述图案化硬罩幕层；进行一第三蚀刻步骤，以移除所述图案化硬罩幕层；以及进行一第四蚀刻步骤，以移除所述光阻；其中，所述第二蚀刻步骤、所述第三蚀刻步骤与所述第四蚀刻步骤是于同一反应腔体中连续进行，且所述基板在所述第二蚀刻步骤至所述第三蚀刻步骤之间，以及在所述第三蚀刻步骤至所述第四蚀刻步骤之间皆未移出所述反应腔体。