[发明专利]硅片测试前加热装置无效

专利信息
申请号: 201310234649.5 申请日: 2013-06-13
公开(公告)号: CN103347313A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 费跃伟 申请(专利权)人: 浙江光普太阳能科技有限公司
主分类号: H05B3/00 分类号: H05B3/00
代理公司: 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 代理人: 秦晓刚
地址: 313100 浙江省湖*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种硅片测试前加热装置,包括设于测试暗箱前的加热框架,行走臂穿过加热框架向测试暗箱输送硅片,所述加热框架顶部设有加热源加热行走臂上输送的硅片。所述加热源为红外线加热灯,红外线加热灯电源线从加热框架顶部穿入,所述红外线加热灯由设于加热框架外侧的加热开关控制。本发明在烧结下料行走臂处加装一个可调节加热效率的红外加热灯,当待测试硅片输送时,开启红外线加热灯,通过红外线的辐射传热提高待测试硅片的表面温度,使待测试硅片满足测试时的温度要求,这样也避免了开启空调来调整温度,降低了能耗。
搜索关键词: 硅片 测试 加热 装置
【主权项】:
硅片测试前加热装置,其特征在于:包括设于测试暗箱前的加热框架,行走臂穿过加热框架向测试暗箱输送硅片,所述加热框架顶部设有加热源加热行走臂上输送的硅片。
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