[发明专利]一种磁性纳米线阵列薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201310234737.5 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103276360A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 白飞明;张辉;钟智勇;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/08 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种磁性纳米线阵列薄膜及其制备方法，属于电子功能材料技术领域。包括MgAl2O4单晶基片、Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基体和NiFe2O4纳米线；NiFe2O4纳米线均匀分布在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基体中，形成沉积于MgAl2O4单晶基片（001）取向表面的磁性纳米线阵列薄膜。该薄膜采用PZT-NFO靶材和（001）取向MgAl2O4单晶基片，采用90度离轴磁控溅射工艺制得，具有铁磁共振线宽小、铁磁共振频率高、晶格失配小，可自组装外延生长的特点，是一种用于微波非互易性器件的重要材料。其制备方法容易实现，参数控制方便，操作简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 纳米 阵列 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性纳米线阵列薄膜，包括MgAl2O4单晶基片（3）、Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基体（2）和NiFe2O4纳米线（1）；其中，所述MgAl2O4单晶基片（3）为（001）取向且表面抛光的MgAl2O4单晶基片；所述NiFe2O4纳米线（1）均匀分布在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基体（2）中，形成磁性纳米线阵列薄膜；所述磁性纳米线阵列薄膜沉积于所述MgAl2O4单晶基片（3）的（001）取向表面上。
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