[发明专利]具有降低的层间电介质层蚀刻速率的替代金属栅极处理无效
| 申请号： | 201310234789.2 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103515244A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 程慷果;王俊利;黄洸汉;杨智超 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有降低的层间电介质层蚀刻速率的替代金属栅极处理。一种形成半导体器件结构的方法包括：在半导体衬底以及形成于该衬底上的虚设晶体管栅极结构之上形成层间电介质（ILD）层；在该ILD层的顶部中灌注浅气体团簇离子束（GCIB）层；以及从所述虚设晶体管栅极结构去除至少一层，其中所述至少一个层包括与所述ILD层相同的材料，并且其中所述GCIB层与所述ILD层相比具有更慢的蚀刻速率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 电介质 蚀刻 速率 替代 金属 栅极 处理 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件结构的方法，所述方法包括：在半导体衬底以及形成在所述衬底上的虚设晶体管栅极结构之上形成层间电介质（ILD）层；在所述ILD层的顶部中灌注浅气体团簇离子束（GCIB）层；以及从所述虚设晶体管栅极结构去除至少一个层，其中所述至少一个层包括与所述ILD层相同的材料，并且其中所述GCIB层与所述ILD层相比具有更慢的蚀刻速率。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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