[发明专利]N型特高阻硅反外延材料制备方法

摘要

为解决现有技术术N型高阻硅外延材料制备方法存在的高阻外延层电阻率不能满足要求和易导致4寸或6寸晶圆的碎裂等问题，本发明提出一种N型特高阻硅反外延材料制备方法，采用高剂量掺杂技术在N型特高阻硅单晶的抛光面外延生长高浓度掺杂的外延层；采用硅快速外延技术在高掺杂外延层表面外延生长物理支撑层；采用机械减薄和化学抛光工艺将特高阻单晶层进行减薄抛光使其厚度和表面质量达到技术要求。本发明的有益技术效果是提供了一种满足小电容、快速响应特性的PIN光电二极管制备所需的4寸或6寸晶圆的N型特高阻反外延材料的制备方法，替代现有技术N型高阻单晶材料，提高器件的参数特性和成品率。

主权项

一种N型特高阻硅反外延材料制备方法，其特征在于，采用高剂量掺杂技术在N型特高阻硅单晶的抛光面外延生长高浓度掺杂的外延层；采用硅快速外延技术在高掺杂外延层表面外延生长物理支撑层；采用机械减薄和化学抛光工艺将特高阻单晶层进行减薄抛光使其厚度和表面质量达到技术要求；所述特高阻单晶层是指N型特高阻硅单晶，作为制作红外硅PIN光电二极管的有源区；所述外延层的掺杂浓度大于4.7×1018，厚度为100μm±10μm，作为制作红外硅PIN光电二极管的N型欧姆接触区；所述支撑层厚度大于150μm。