[发明专利]曝光方法、曝光装置以及光掩模有效
| 申请号： | 201310236592.2 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103513516A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 畠中公荣 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/44 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郝新慧;张浴月 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种曝光方法、曝光装置以及光掩模，该曝光方法包括：利用包括曝光图案的光掩模将多个曝光图案曝光到晶片上作为第一图案，其中所述曝光图案包括布置于其中的芯片图案；将光掩模对准在晶片上，使得所述曝光图案的第一区域与所述第一图案重叠，使得除所述曝光图案的所述第一区域之外的第二区域在所述第一图案的外部，以及使得芯片连续地布置在所述第一图案和所述第二区域中；利用已经对准在晶片上的光掩模调整晶片上的聚焦；以及为所述第一区域遮住光并且将所述第二区域的图案曝光到晶片上作为第二图案。本发明能够提高晶片上的调焦精度。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 装置 以及 光掩模 | ||
【主权项】：
一种曝光方法，包括：利用包括曝光图案的光掩模，将多个所述曝光图案曝光在晶片上作为第一图案，其中所述曝光图案包括布置于其中的多个芯片图案；将所述光掩模对准在所述晶片上，使得所述曝光图案的第一区域与所述第一图案重叠，使得不同于所述曝光图案的所述第一区域的第二区域在所述第一图案的外部，以及使得多个芯片图案连续地布置在所述第一图案和所述第二区域中；利用已经对准在所述晶片上的光掩模调整在晶片上的聚焦；以及为所述第一区域遮住光，并且将所述第二区域的图案曝光到所述晶片上作为第二图案。
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