[发明专利]铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201310237035.2 | 申请日: | 2013-06-14 |
公开(公告)号: | CN103274689A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 王轲;姚方周;李敬锋 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 李志东 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出了铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。其中,铌酸钾钠基无铅压电陶瓷由下列通式所示的化学组成(ABO3)1-x(CaZrO3)x(MnO2)y,其中,A为选自Na、K和Li的至少之一,B为选自Nb和Ta的至少之一,x表示CaZrO3占铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的原子百分比,y为MnO2占铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的质量百分比,并且0.03≤x≤0.07,0≤y≤0.04。该铌酸钾钠基无铅压电陶瓷具有较高的压电性能,其压电常数d33可以达到280~360pC/N,且其反向压电系数d33*在室温至175摄氏度的温度范围内的波动不超过10%。 | ||
搜索关键词: | 铌酸钾钠基无铅 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷,其具有下列通式所示的化学组成(ABO3)1‑x(CaZrO3)x(MnO2)y,其中,A为选自Na、K和Li的至少之一,B为选自Nb和Ta的至少之一,x表示CaZrO3占所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的原子百分比,y为MnO2占所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的质量百分比,并且0.03≤x≤0.07,0≤y≤0.04。
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