[发明专利]一种控制背面刻蚀量的方法有效
| 申请号： | 201310238471.1 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN103280495A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 赵晨;张辉;孟津;张斌;邢国强 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 邱兴天 |
| 地址： | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制背面刻蚀量的方法，通过控制抽气量的大小来控制背面刻蚀量；所述抽气量的大小通过在硅片下方、滚轮旁边安置抽气管道来实现；在所述的抽气管上的设有大小均匀的抽气孔，且每个抽气孔均由阀门控制抽气时开放孔洞的大小。该控制背面刻蚀量的方法，通过控制硅片背面、液面上方空间的抽风量实现对背面刻蚀量灵敏、准确、灵活的控制。有效解决现有工艺方法下各道背面刻蚀量不均匀，背面刻蚀量调节不准确的问题。通过实验证实，改善后各个传送道之间的背面刻蚀量差异（STDEV值）有明显的减小，由0.05左右降低到0.004左右，减低了一个数量级，说明改善后背面刻蚀量的均匀性有了明显改善，该方法切实有效，具有很好的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 背面 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种控制背面刻蚀量的方法，通过控制抽气量的大小来控制背面刻蚀量；其特征在于：所述抽气量的大小通过在硅片下方、滚轮旁边安置抽气管道来实现；在所述的抽气管上的设有大小均匀的抽气孔，且每个抽气孔均由阀门控制抽气时开放孔洞的大小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
