[发明专利]一种带氟清理装置的PECVD炉及其氟清理方法

摘要

一种带氟清理装置的PECVD炉，包括：一反应器，包括一气体分布箱，一气体筛板，设置于该气体分布箱表面，该气孔间具有一气孔间距，一正极板，及一负极板；一腔室，包括：一进气法兰，一出气法兰，一RF连接法兰及一加热管，工艺气体装在该进气法兰上，该加热管通过压块均匀分布在腔体外侧，RF电源通过该RF连接法兰与反应器连接；一气路系统，包括一汇流箱，设置于炉腔侧，该汇流箱包括六路工艺气体管和一路N2管；一真空管路，包括一干泵，一分子泵，一罗茨泵，及一控制阀门；一RF电源，采用了13.56MHz的电源发生器，匹配器安装在腔体下部；及一氟清理装置，用于通过氟离子清理PECVD炉内的硅。

主权项

一种带氟清理装置的PECVD炉，包括：一反应器，包括一气体分布箱，一气体筛板，设置于该气体分布箱表面，该气体筛板具有多个气孔，均匀分布于该气体筛板上，每个该气孔具有一气孔直径，该气孔间具有一气孔间距，一正极板，及一负极板，该正极板与该负极板之间具有一电极板间距，每片玻璃对应一个气体分布箱，气体由上部进入气体分布箱内后再通过气体筛板分散后进入玻璃表面，以提高布气的均匀性，从而提高产品的均匀性；一真空管路，用于保证设备的极限真空度和沉积压力的连续闭环控制，包括一干泵，一分子泵，一罗茨泵，及一控制阀门；一RF电源，采用了13‑14MHz的电源发生器，匹配器安装在腔体下部，以减少接线距离，减少射频的衰减；一腔室，用于沉积，包括：一进气法兰，一出气法兰，一RF连接法兰及一加热管，工艺气体装在该进气法兰上，反应后的气体通过该出气法兰排出，该加热管通过压块均匀分布在腔体外侧并用保温棉充填，RF电源通过该RF连接法兰与反应器连接；一气路系统，包括一汇流箱，设置于炉腔侧，该汇流箱包括六路工艺气体管和一路N2管；及一氟清理装置，用于通过氟离子清理PECVD炉内的硅，包括：一氩气单元，用于控制氩气吹扫该反应器内部因PECVD工艺产生的残余气体，使得功率场效应晶体管更具有活力，一三氟化氮单元，用于控制三氟化氮对PECVD炉进行清洗，一废气泵，用于将反应后所得废气抽出并输送至设备尾气装置，及一设备尾气装置，用于对所述废气进行处理，并将该气体排放。