[发明专利]影像感测装置有效
申请号: | 201310239709.2 | 申请日: | 2013-06-17 |
公开(公告)号: | CN103839952A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 王唯科;张志清;吴佳惠;黄建雄;林承轩;陈昶维 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郝新慧;张浴月 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供的是一种影像感测装置。此影像感测装置包含:一光学滤片,其包含一双通带滤光片及一红外光穿透滤光片。一RGB像素阵列置于此双通带滤光片下方,且一时差测距阵列置于此双通带滤光片及此红外光穿透滤光片下方。其中,此双通带滤光片及此红外光穿透滤光片的组合仅容许位于红外光区的入射光穿透至此时差测距像素阵列。本发明可减少干涉及噪声。 | ||
搜索关键词: | 影像 装置 | ||
【主权项】:
一种影像感测装置,包含:一光学滤片阵列,包含一双通带滤光片及一红外光穿透滤片;一RGB像素阵列置于该双通带滤光片下方;以及一时差测距像素阵列邻接该RGB像素阵列,并置于该双通带滤光片及该红外光穿透滤片下方,其中该双通带滤光片及该红外光穿透滤片仅容许位于红外光区段的入射光穿透至该时差测距像素阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的