[发明专利]晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，在进行氮化硅镀膜之前，通过光照对置于氧化气体中的晶体硅进行氧化处理，在晶体硅表面生成氧化硅层；所述光照采用波长为100-5000nm的光，氧化处理温度为0-450℃。本发明提供的晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，能在低温条件下在晶体硅表面生成氧化硅层，由于本发明无需高温过程，因而不会影响硅片的少子寿命。本发明的氧化硅层与氮化硅镀膜相结合，可以有效增强硅片表面的钝化效果，提高太阳电池的光电转换效率。且本发明氧化处理时氧化硅层的增厚速率高，大大缩短氧化处理时间，提高了产能。本发明还不需要真空环境，可在常压下进行，设备低廉，工艺简单，重复性好，且与现行的太阳电池工艺兼容。

主权项

晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺，其特征在于，在进行氮化硅镀膜之前，通过光照对置于氧化气体中的晶体硅进行氧化处理，在晶体硅表面生成氧化硅层；其中，所述光照采用波长为100‑5000 nm的光，氧化处理温度为0‑450℃。