[发明专利]一种金属膜厚度测量方法有效
申请号: | 201310240197.1 | 申请日: | 2013-06-18 |
公开(公告)号: | CN104236444B | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 李广宁;许亮 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G01B7/06 | 分类号: | G01B7/06 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 牛峥,王丽琴 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请公开了一种金属膜厚度测量方法,通过检测匀速插入金属膜内部的探针的电流的变化确定探针的针尖与金属膜上表面和底面的接触时间,从而运用物理学的运动公式准确地测量出较厚金属膜的厚度。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属膜 厚度 测量方法 | ||
【主权项】:
一种金属膜厚度测量方法,包括:提供一晶片,所述晶片的器件面的依次具有半导体基体、电介质层和金属膜,所述电介质层位于所述金属膜下方,所述金属膜上方垂直放置两根相隔预定距离的探针,所述探针的自由端朝向晶片的器件面,该方法还包括:向晶片方向移动所述探针,当所述探针的针尖接触到所述金属膜的上表面时,用计数器记录开始时间T1;所述探针做匀速直线运动插入金属膜,当所述探针的针尖接触到所述电介质层的表面时,所述计数器记录停止时间T2;将所述匀速直线运动的速度与停止时间T2和开始时间T1之间的差值相乘,得到所述金属膜的厚度。
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