[发明专利]用于光子集成电路的混合垂直腔激光器

摘要

本公开提供一种用于光子集成电路（PIC）的混合垂直腔激光器。用于PIC的混合垂直腔激光器包括：光栅反射镜，在两个低折射率层之间；光波导，光耦合到光栅反射镜；III-V半导体层，包括有源层，设置在两个低折射率层的中的一个上；以及上反射镜，覆盖III-V半导体层。光栅反射镜包括形成彼此平行布置的多个柱状的低折射率材料部分。低折射率材料部分在宽度方向上具有至少两个不同的宽度。

主权项

一种用于光子集成电路的混合垂直腔激光器，所述激光器包括：光栅反射镜，在具有比硅的折射率低的折射率的两个低折射率层之间；光波导，沿第一方向光耦合到所述光栅反射镜的一侧；包括有源层的III‑V半导体层，设置在所述两个低折射率层中的一个上；以及上反射镜，覆盖所述III‑V半导体层，其中所述光栅反射镜包括形成在所述两个低折射率层之间的硅层中且沿垂直于所述第一方向的第二方向彼此平行地布置的多个柱状的低折射率材料部分，以及所述多个低折射率材料部分具有比硅的折射率低的折射率，且在所述第一方向上具有至少两个宽度。