[发明专利]基于红外技术的TSV晶圆减薄在线控制方法及系统有效
| 申请号： | 201310240770.9 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN103346099A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 姜峰;顾海洋;何洪文 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于红外技术的TSV晶圆减薄在线控制方法及系统，该方法包括对红外传感器进行记录校准，确定红外传感器在研磨装置上的标准位置并进行固定，设定TSV晶圆背面到通孔底部距离的初始设定值；对TSV晶圆进行背面减薄工艺；利用红外传感器发射红外线，得到若干反射波并进行接收；利用数据处理器筛选出TSV晶圆中通孔底部的反射波，计算减薄过程中TSV晶圆背面到通孔底部的距离；将减薄过程中的距离与初始设定值进行实时交互；当减薄过程中距离等于初始设定值时，停止TSV晶圆的背面减薄。本发明有效地实现了无接触测量，能够精确控制TSV晶圆中金属导电柱底部到晶圆背面的厚度，且测量精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 红外 技术 tsv 晶圆减薄 在线 控制 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种基于红外技术的TSV晶圆减薄在线控制方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、对红外传感器进行记录校准，确定红外传感器在研磨装置上的标准位置并进行固定，设定TSV晶圆背面到通孔底部距离的初始设定值；S2、对TSV晶圆进行背面减薄工艺；S3、利用红外传感器发射红外线，得到若干反射波并进行接收；S4、利用数据处理器筛选出TSV晶圆中通孔底部的反射波，计算减薄过程中TSV晶圆背面到通孔底部的距离；S5、将减薄过程中TSV晶圆背面到通孔底部的距离与初始设定值进行实时交互；S6、当减薄过程中TSV晶圆背面到通孔底部的距离等于初始设定值时，停止TSV晶圆的背面减薄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
