[发明专利]一种基于复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜及其制备方法无效
申请号: | 201310240977.6 | 申请日: | 2013-06-18 |
公开(公告)号: | CN103296091A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 薛玉明;张嘉伟;乔在祥;李微;许楠;赵彦民;朱亚东;刘君;宋殿友;潘宏刚;李鹏海;冯少君;刘浩;尹富红 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300384 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种基于复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜,为基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜,由玻璃、聚酰亚胺和铜铟镓硒吸收层薄膜组成并形成叠层结构,其制备方法是:首先将聚酰亚胺胶涂覆于苏打玻璃表面,固化成聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底,然后在其表面制备一层极薄的氟化钠预置层薄膜,然后在其上制备铜铟镓硒薄膜。本发明的优点是:该基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜附着性优秀,结晶质量好,晶粒大、缺陷少,可实现利用钢性衬底制备柔性太阳电池;其制备方法简单、易于实施,有利于大规模的推广应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 复合 衬底 掺钠铜铟镓硒 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜,其特征在于:该掺钠铜铟镓硒薄膜为基于聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒薄膜,由玻璃、聚酰亚胺和铜铟镓硒吸收层薄膜组成并形成叠层结构,其中衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成,苏打玻璃的厚度为1.5‑2mm,聚酰亚胺膜厚度为25‑30µm;铜铟镓硒吸收层薄膜的化学分子式为CuIn1‑xGaxSe2,式中x为0.25‑0.35,导电类型为p型,薄膜厚度为1.5‑2µm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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