[发明专利]一种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜无效
申请号: | 201310240993.5 | 申请日: | 2013-06-18 |
公开(公告)号: | CN103311321A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 薛玉明;张嘉伟;潘宏刚;宋殿友;朱亚东;刘君;辛治军;冯少君;尹振超;刘浩;尹富红 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0392;H01L31/0236;H01L31/18;H01L31/0256 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300384 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜,衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成,其中苏打玻璃的厚度为1.5-2mm,聚酰亚胺膜厚度为25-30µm,生长于此种复合衬底表面的铜铟镓硒薄膜,化学分子式为CuIn1-xGaxSe2,式中x为0.25-0.35,导电类型为p型;该铜铟镓硒薄膜CuIn1-xGaxSe2薄膜沉积于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底表面,厚度为1.5-2µm。本发明的优点是:该基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜结晶质量好、晶粒较大、缺陷较少,利用钢性衬底制备柔性太阳电池;其制备方法简单、易于实施,有利于大规模的推广应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 聚酰亚胺 苏打 玻璃 复合 衬底 铜铟镓硒 薄膜 | ||
【主权项】:
一种基于聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜,其特征在于:化学分子式为CuIn1‑xGaxSe2,式中x为0.25‑0.35,导电类型为p型;该铜铟镓硒薄膜CuIn1‑xGaxSe2薄膜沉积于聚酰亚胺膜‑苏打玻璃复合衬底表面,厚度为1.5‑2µm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学,未经天津理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310240993.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的