[发明专利]一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310241044.9 申请日: 2013-06-18
公开(公告)号: CN103346173A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 刘玮;李志国;孙云;周志强;张毅 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 侯力
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件,由柔性基板、双层Mo金属背电极、铜铟镓硒薄膜吸收层、CdS缓冲层、本征ZnO薄膜阻挡层和透明导电掺铝ZnO薄膜窗口层组成并依次形成叠层结构,其制备过程中在不同层面分别划出三条刻槽。本发明的优点是:适合卷对卷工艺规模化制备大面积柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件,满足实际应用中对光伏组件电压和电流的要求,实现了柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的内部串联,组件具有不短路有效面积大,同时提高生产效率,降低生产成本。
搜索关键词: 一种 柔性 铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 组件 及其 制备 方法
【主权项】:
一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件,其特征在于:由柔性基板、双层Mo金属背电极、铜铟镓硒薄膜吸收层、CdS缓冲层、本征ZnO薄膜阻挡层和透明导电掺铝ZnO薄膜窗口层组成并依次形成叠层结构,各层的厚度为:双层Mo金属背电极中第一层Mo薄膜厚度为200‑300nm、第二层Mo薄膜厚度为300‑1200nm、铜铟镓硒薄膜吸收层1‑3μm、CdS缓冲层50‑100nm、本征ZnO薄膜阻挡层50‑100nm、透明导电掺铝ZnO薄膜窗口层300‑800nm。
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