[发明专利]一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件及其制备方法无效
申请号: | 201310241044.9 | 申请日: | 2013-06-18 |
公开(公告)号: | CN103346173A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 刘玮;李志国;孙云;周志强;张毅 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件,由柔性基板、双层Mo金属背电极、铜铟镓硒薄膜吸收层、CdS缓冲层、本征ZnO薄膜阻挡层和透明导电掺铝ZnO薄膜窗口层组成并依次形成叠层结构,其制备过程中在不同层面分别划出三条刻槽。本发明的优点是:适合卷对卷工艺规模化制备大面积柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件,满足实际应用中对光伏组件电压和电流的要求,实现了柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的内部串联,组件具有不短路有效面积大,同时提高生产效率,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 组件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件,其特征在于:由柔性基板、双层Mo金属背电极、铜铟镓硒薄膜吸收层、CdS缓冲层、本征ZnO薄膜阻挡层和透明导电掺铝ZnO薄膜窗口层组成并依次形成叠层结构,各层的厚度为:双层Mo金属背电极中第一层Mo薄膜厚度为200‑300nm、第二层Mo薄膜厚度为300‑1200nm、铜铟镓硒薄膜吸收层1‑3μm、CdS缓冲层50‑100nm、本征ZnO薄膜阻挡层50‑100nm、透明导电掺铝ZnO薄膜窗口层300‑800nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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