[发明专利]积层陶瓷基板的分断方法有效
申请号: | 201310241360.6 | 申请日: | 2013-06-13 |
公开(公告)号: | CN103681294B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 武田真和;村上健二 | 申请(专利权)人: | 三星钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B28D5/00;H05K3/46 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019 | 代理人: | 寿宁,张华辉 |
地址: | 日本大阪府*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明是有关于一种积层陶瓷基板的分断方法,对在陶瓷基板积层有金属膜的积层陶瓷基板进行分断。在积层陶瓷基板(10)的陶瓷基板(11)沿着分断预定线形成第1刻划线(S1)。接着在金属膜(12)侧,在与第1刻划线(S1)同一位置借由刻划装置形成第2刻划线(S2)。进一步地,从陶瓷基板(11)侧的面及金属膜(12)侧的面各自沿着第1刻划线(S1)、第2刻划线(S2)进行裂断。借由如此进行,可完全地分断积层陶瓷基板(10)。 | ||
搜索关键词: | 陶瓷 方法 | ||
【主权项】:
一种积层陶瓷基板的分断方法,该积层陶瓷基板在陶瓷基板积层有金属膜,其特征在于:在该陶瓷基板与该金属膜中的一方的一面,使用刻划轮形成不到达该陶瓷基板与该金属膜中的另一方的第1刻划线;在该陶瓷基板与该金属膜的该另一方的一面,使用刻划轮沿着该第1刻划线形成不到达该陶瓷基板与该金属膜中的该一方的第2刻划线;及沿着该第1刻划线、第2刻划线而对该陶瓷基板及金属膜的至少一方进行裂断,借此沿着刻划线对陶瓷基板进行分断。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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