[发明专利]一种低成本氮化硅陶瓷的生产方法无效
| 申请号： | 201310241572.4 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN103319181A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 陈海*;王亦臣;刘军 | 申请（专利权）人： | 上海中耐高温材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201108 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种热压烧结生产氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述氮化硅陶瓷原材料各组分及质量百分比含量为：独居石6～9％，氮化硅91％～94％，上述各组分的成分分别为：独居石中氧化铈和氧化镧质量百分比含量大于65％，氮化硅中α相氮化硅质量百分比含量大于94％，上述各组分的粒径分别为：独居石1～5μm，氮化硅0.4～0.7μm，将上述各组分混合制坯，将所得坯体在氮气氛围下热压烧结。烧结温度为1600～1650℃，保温时间1～1.5h，压力12MPa。由于本发明以独居石作为烧结助剂，价格低廉，烧结温较低，节约了能耗，其综合效应是降低了生产成本。本发明生产的氮化硅陶瓷致密程度高，力学性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 氮化 陶瓷 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种热压烧结生产氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述氮化硅陶瓷原材料各组分及质量百分比含量为：独居石6～9％，氮化硅91％～94％，上述各组分的成分分别为：独居石中氧化铈和氧化镧质量百分比含量大于65％，氮化硅中α相氮化硅质量百分比含量大于94％，上述各组分的粒径分别为：独居石1～5μm，氮化硅0.4～0.7μm，将上述各组分混合制坯，将所得坯体在氮气氛围下热压烧结。
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