[发明专利]工业硅分离杂质的方法有效
| 申请号： | 201310242256.9 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103351001A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 安广野;谭毅;姜大川 | 申请（专利权）人： | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266234 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种工业硅的提纯方法，具体涉及一种工业硅分离杂质的方法，包括以下步骤：（1）在真空环境下将洗净后的工业硅原料加热至1450～1550℃，使其熔化成硅液并保温；（2）调节加热温度至1350～1400℃，并且旋转坩埚，使得熔点低于硅的液态金属杂质在离心力作用下沿着硅晶体的晶界向坩埚内壁聚集；（3）关闭加热器，持续旋转坩埚，直至液态金属杂质在坩埚内壁上凝固；（4）冷却到室温，取出提纯后的工业硅铸锭。本发明简单易行，在较短的时间就能够有效的将金属杂质与工业硅分离，并且出成率高。 | ||
| 搜索关键词： | 工业 分离 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种工业硅分离杂质的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）在真空环境下将洗净后的工业硅原料加热至1450～1550℃，使其熔化成硅液并保温；（2）调节加热温度至1350～1400℃，并且旋转坩埚，使得熔点低于硅的液态金属杂质在离心力作用下沿着硅晶体的晶界向坩埚内壁聚集；（3）关闭加热器，持续旋转坩埚，直至液态金属杂质在坩埚内壁上凝固；（4）冷却到室温，取出提纯后的工业硅铸锭。
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