[发明专利]紫外光/臭氧表面清洗与氧化改性真空设备及其使用方法有效
申请号: | 201310242512.4 | 申请日: | 2013-06-18 |
公开(公告)号: | CN103337450A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 陶海华;张双喜;陈险峰 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种紫外光/臭氧表面清洗和氧化改性真空设备,包括真空腔室、紫外光源、水冷系统、样品架、真空系统和气压监控系统。真空腔室的内层为高反射铝板,外层为不锈钢加强筋。真空腔室内部顶端固定紫外光源的紫外灯管,紫外灯管的上部置有水冷系统。样品架位于紫外灯管正下方,其高度连续可调。真空腔室置有真空系统,以快速有效排空紫外光化学反应前腔室内的空气以及反应结束后腔室内的气体。真空腔室还置有气压监控系统以有效控制光化学反应时腔内初始氧气压强。本发明能有效排除光化学反应前后腔室内气体,监控腔室内气体压强,从而增强对反应过程的可控性,并有效节约气体使用量,这在材料表面清洗及氧化改性方面具有重要的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 紫外光 臭氧 表面 清洗 氧化 改性 真空设备 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
一种紫外光/臭氧表面清洗与氧化改性真空设备,其特征在于,包括真空腔室、紫外光源、水冷系统、样品架、真空系统和气压监控系统,其中:真空腔室主要由双层材料制作:内层为高反射铝板,外层为不锈钢加强筋;紫灯光源包括紫外灯管和控制电源,紫外灯管安装于真空腔室内部的顶端,并与外部电源相连接;水冷系统设置在紫外灯管的上部,水冷系统用于防止紫外灯管以及腔室内的热量积聚引起温度不断升高;样品架位于紫外灯管正下方;真空系统连接所述真空腔室,真空系统用于快速、有效排空紫外光化学反应前后的气体;气压监控系统连接所述真空腔室,气压监控系统用于有效控制光化学反应过程中真空腔室腔内气体压强。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造