[发明专利]一种光刻机工件台系统有效
申请号: | 201310243147.9 | 申请日: | 2013-06-19 |
公开(公告)号: | CN103309177A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 朱煜;王磊杰;张鸣;刘召;成荣;杨开明;徐登峰;叶伟楠;田丽;张利;秦慧超;张金;穆海华;尹文生;胡金春;赵彦坡 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 邸更岩 |
地址: | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种光刻机工件台系统,包含机架、基台、分别运行于曝光工位和预处理工位的两个硅片台,以及测量光栅、双频激光器、三自由度外差光栅干涉仪和信号接收与处理部件。在每个硅片台四角处各安装一个三自由外差光栅干涉仪,测量光栅安装于硅片台上方的机架上。双频激光器出射的双频正交偏振激光经光纤传输至三自由度外差光栅干涉仪后至测量光栅,测量光栅的四束衍射光回射至三自由度外差干涉仪,最终出射四束测量光信号至信号接收与处理部件。当硅片台相对于测量光栅运动时,利用信号接收与处理部件中的读数通过解算获取硅片台六自由位移。该光刻机工件台系统可提高硅片台的测量精度、动态性能等指标,进而提高光刻机工件台系统整体性能。 | ||
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【主权项】:
一种光刻机工件台系统,包含机架(1)、基台(3)、分别运行于曝光工位和预处理工位的两个硅片台,其特征在于:所述工件台系统还包括测量光栅(5)、双频激光器(6)、三自由度外差光栅干涉仪(7)和信号接收与处理部件(8);所述的测量光栅(5)采用平面反射型二维光栅,由曝光工位测量光栅(51)和预处理工位测量光栅(52)组成,曝光工位测量光栅(51)和预处理工位测量光栅(52)分别对应安装于曝光工位和预处理工位的两个硅片台上方的机架(1)上,且刻有二维反射型光栅槽线的表面面向两个硅片台的上表面;所述的运行于曝光工位和预处理工位的两个硅片台的四角处分别安装四个三自由度外差光栅干涉仪(7),机架(1)上安装双频激光器(6),通过光纤传输分别为运行于曝光工位的硅片台上的四个三自由度外差光栅干涉仪(7)和运行于预处理工位的硅片台上的四个三自由度外差光栅干涉仪(7)提供双频正交偏振激光,双频激光器(6)同时为信号接收与处理部件(8)提供参考电信号;所述的双频正交偏振激光分别经过每个三自由度外差光栅干涉仪(7)后垂直入射至测量光栅(5),产生四束衍射反射光,四束衍射反射光回射至三自由度外差光栅干涉仪(7),然后由三自由度外差光栅干涉仪(7)输出四路测量光信号,四路测量光信号输送至信号接收与处理部件(8)中进行处理;所述的运行于曝光工位和预处理工位的两个硅片台分别相对于测量光栅(5)运动时,信号接收与处理部件(8)各输出四组x、y和z向测量位移,分别利用八组测量值解算出运行于曝光工位和预处理工位的硅片台的六自由度位移。
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