[发明专利]一种集成电路及其制造方法

摘要

本发明提供一种集成电路及其制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的集成电路，将采用不同侧壁的第一组晶体管、第二组晶体管、第三组晶体管，以及集成无源器件和MEMS器件等组件，通过晶圆加工流程集成到单一芯片之上，相对于现有通过系统集成封装技术所制作的射频前端模块，具有更高的信噪比、更低的功耗、更小的器件尺寸以及更低的成本。本发明的集成电路的制造方法，用于制造上述集成电路，在制得的集成电路具有上述优点的同时，可以降低最终射频前端模块封装的复杂度和制造成本。

主权项

一种集成电路，其特征在于，包括：第一半导体衬底、分别位于所述第一半导体衬底的第一表面的第一区域、第二区域和第三区域的第一组晶体管、第二组晶体管和第三组晶体管以及位于所述第一半导体衬底的第二表面上的第一体介电层，其中，位于所述第一区域的所述第一组晶体管中的各个晶体管之间由位于所述第一半导体衬底内的第一组浅沟槽隔离所隔离,其中所述第一组浅沟槽隔离靠近所述第一半导体衬底的所述第二表面的一侧距所述第一半导体衬底的所述第一表面的距离为第一距离；位于所述第二区域的所述第二组晶体管中的各个晶体管之间由位于所述第一半导体衬底内的第一组深沟槽隔离所隔离，其中所述第一组深沟槽隔离靠近所述第一半导体衬底的所述第二表面的一侧距所述第一半导体衬底的所述第一表面的距离为第二距离；位于所述第三区域的所述第三组晶体管中的各个晶体管之间由位于第一半导体衬底内的第二组浅沟槽隔离所隔离，其中所述第二组浅沟槽隔离靠近所述第一半导体衬底的所述第二表面的一侧距所述第一半导体衬底的所述第一表面的距离为所述第一距离；其中，所述第二距离大于所述第一距离，并且所述第二距离小于或等于所述第一半导体衬底的厚度，所述第一组晶体管、第二组晶体管、第三组晶体管中的各个晶体管的底部由所述第一体介电层进行隔离。