[发明专利]一种用半导体晶圆片来制备的掩模版有效
| 申请号： | 201310244135.8 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN104238262A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 苏冠创 | 申请（专利权）人： | 深圳市力振半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/80 | 分类号： | G03F1/80;H01L21/027 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市宝安中心*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用半导体晶圆片透过蚀刻方法来制备掩模版的方法，包括以下特征：晶圆片的厚度为50μm至3000μm不等，晶圆片中有所需的穿通的特征图形，这穿通的特征图形是透过蚀刻方法来形成的，图形的宽度尺寸为5μm至400μm不等，几何图形可以是规则的和不规则的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶圆片来 制备 模版 | ||
【主权项】：
一种用于离子注入或带电高能粒子辐照的掩模版，包括以下部分：(1)掩模版是用半导体晶圆片透过蚀刻方法来制备的；(2)晶圆片中有所需的穿通的特征图形。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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