[发明专利]承载装置及等离子体加工设备有效
| 申请号： | 201310244395.5 | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104241184B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 侯珏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的承载装置及等离子体加工设备，其包括基座和冷却单元，基座用于承载被加工工件；冷却单元用于借助设置在基座的承载面上的冷却层，实现对置于该冷却层的表面上的被加工工件均匀冷却。本发明提供的承载装置，其可以提高导热效率，从而可以有效地使被加工工件始终保持在较低的温度，而且，由于该冷却层在基座的承载面上的分布方式可以自由设置，因而可以实现对被加工工件的均匀冷却，从而可以使被加工工件的温度均匀，进而可以提高工艺均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 承载 装置 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种承载装置，其包括基座，用以承载被加工工件，其特征在于，所述承载装置还包括冷却单元，所述冷却单元用于借助设置在所述基座的承载面上的冷却层，实现对置于该冷却层的表面上的被加工工件均匀冷却；所述冷却层的导热率在1W/m·K以上；所述冷却层的硬度范围在50～70HS。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
