[发明专利]晶圆上多个通孔的电沉积过程优化方法

摘要

本发明提供一种晶圆上通孔电沉积过程的优化方法。不需要对晶圆上大量通孔进行通孔填充模拟，而是根据最大值关键因子选择一个代表性通孔。使用不同的样本点，对代表性通孔的填充进行模拟，找出填充优度，用以找到工艺参数的最优工艺窗口。也披露了一个优化器，其提供样本点或者使用人工神经网络方法减少样本点。填充优度的计算值被用于评估通孔填充质量，进一步比较不同样本点上模拟的通孔填充。因此，本发明方法可以缩短通孔填充的模拟时间，又能提供高准确度的工艺窗口。

主权项

一种通孔电沉积过程的优化方法，包括：提供一个或多个关键参数，其用于控制通孔的填充质量；根据一个关键因子值，选择一个代表性通孔，所述关键因子是所述关键参数的函数；通过一个优化器获得一个样本点，其中所述样本点包括一个或多个工艺参数的一个或多个样本值；使用所述样本点，模拟所述代表性通孔的填充过程；计算所述模拟填充过程的填充优度；对于其他样本点，重复从优化器获得样本点到计算模拟填充过程的填充优度的步骤，直到所有样本点都被处理了；根据所计算的填充优度，产生所述工艺参数的一个工艺窗口。