[发明专利]制造厚膜电极的方法有效
| 申请号： | 201310245142.X | 申请日： | 2013-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN103515480B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 小泽和贵 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造厚膜电极的方法，其包括以下步骤将导电浆料施涂于基板上，所述导电浆料包含导电粉末、玻璃料、3.5至12.5重量百分比的有机聚合物、以及溶剂，其中所述重量百分比以所述导电粉末、所述玻璃料、以及所述有机聚合物的总重量计；焙烧所述施涂的导电浆料以形成所述厚膜电极，其中所述厚膜电极的厚度为1至10μm；以及将线材焊接到所述厚膜电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 电极 方法 | ||
【主权项】：
制造厚膜电极的方法，包括以下步骤：将导电浆料施涂于基板上，所述导电浆料包含导电粉末、玻璃料、2至12.5重量％的有机聚合物、以及28至72重量％的溶剂，其中所述重量％以所述导电粉末、所述玻璃料、以及所述有机聚合物的总重量计；焙烧所述施涂的导电浆料以形成所述厚膜电极，其中所述厚膜电极的厚度为1至10μm；以及将线材焊接到所述厚膜电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
