[发明专利]一种半导体芯片的焊接方法有效
| 申请号： | 201310245796.2 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104241149B | 公开（公告）日： | 2016-12-28 |
| 发明（设计）人： | 孙良 | 申请（专利权）人： | 常州银河世纪微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片的焊接方法，具有以下具体步骤取出半导体芯片，在半导体芯片的正面和背面涂覆上焊膏；将双面涂覆焊膏的半导体芯片放入高温焊接炉，使半导体芯片表面形成焊接层；使用划片机将半导体芯片的正面和背面刻划光刻凹槽形成所需的图形；将正面和背面涂覆有焊膏的半导体芯片与铜极相接触，经高温焊接工艺形成半导体分立器件。采用本发明的工艺后，半导体芯片的正面和背面涂覆上焊膏，代替以往半导体芯片的表面镀金属，使半导体芯片的表面不易氧化，确保其表面的致密性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 焊接 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片的焊接方法，其特征是：具有以下具体步骤：a：取出半导体芯片(1)，在半导体芯片(1)的正面和背面涂覆上焊膏；b：将双面涂覆焊膏的半导体芯片(1)放入高温焊接炉，使半导体芯片(1)表面形成焊接层(3)；c：使用划片机将半导体芯片(1)的正面和背面刻划光刻凹槽(2)形成所需的图形；d：将正面和背面涂覆有焊膏的半导体芯片(1)与铜极相接触，经高温焊接工艺形成半导体分立器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
