[发明专利]电激发光显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201310247067.0 | 申请日: | 2013-06-20 |
公开(公告)号: | CN103441137A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 奚鹏博;陈钰琪 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种电激发光显示面板及其制造方法。电激发光显示面板包括第一多层结构层、第二多层结构层、保护层以及第三图案化导电层。第一多层结构层包括依序堆栈的第一图案化导电层、第一图案化绝缘层以及氧化物半导体层,且第一图案化导电层、第一图案化绝缘层与氧化物半导体层实质上具有相同的形状。第二多层结构层包括第二图案化导电层。保护层具有多个接触洞,其中部分接触洞暴露出部分氧化物半导体层的顶面与侧面,以及第一图案化导电层的侧面,且第三图案化导电层经由接触洞与氧化物半导体层以及第一图案化导电层接触。 | ||
搜索关键词: | 激发 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电激发光显示面板,其特征在于,包含:一基板;以及一个或多个像素结构,设置于该基板上,该一个或多个像素结构至少包括:一第一多层结构层,设置于该基板上,该第一多层结构层包括一第一图案化导电层、一堆栈于该第一图案化导电层上的第一图案化绝缘层以及一堆栈于该第一图案化绝缘层上的氧化物半导体层,且该第一图案化导电层、该第一图案化绝缘层与该氧化物半导体层实质上具有相同的形状,其中,该第一多层结构层至少具有一数据线部、一第一电容部、一第二电容部、一第一部分、一第二部分、一第一连接部、一第二连接部以及一第一延伸部,该第一连接部位于该第一部分与第二电容部之间且连接该第一部分与该第二电容部,该第二连接部位于该第二部分与第二电容部之间且连接该第二部分与该第二电容部,以及该第一延伸部连接该第一电容部,其中,该第一部分具有一第一源极区、一第一漏极区以及一位于该第一源极区与该第一漏极区间的第一通道区,以及该第二部分具有一第二源极区、一第二漏极区以及一位于该第二源极区与该第二漏极区间的第二通道区;一第二多层结构层,设置于该第一多层结构层上,该第二多层结构层包括一第二图案化绝缘层、以及一堆栈于该第二图案化绝缘层上的第二图案化导电层,且该第二图案化绝缘层以及该第二图案化导电层实质上具有相同的形状,其中,该第二多层结构层至少具有一扫描线部、一第一栅极部、一第二栅极部、一第三电容部、一第四电容部、一第二延伸部以及一第一电源线部,该第一栅极部连接该扫描线部且延伸至该第一部分,该第二栅极部连接该第三电容部且延伸至该第二部分,该第三电容部堆栈于该第一电容部上,该第四电容部堆栈于该第二电容部上,以及该第二延伸部连接该第三电容部且延伸至该第一连接部;一保护层,设置且覆盖于该第一多层结构层、该第二多层结构层以及该基板上,其中,该保护层具有一暴露出该数据线部的部分顶面与部分侧面的第一接触洞、一暴露出部分该第一部分的该漏极区的第二接触洞、一暴露出部分该第一部分的该源极区的第三接触洞、一暴露出部分该第二延伸部的第四接 触洞、至少一分别暴露出部分该第二部分的该第二源极区、部分该第四电容部与部分该第一延伸部的第五接触洞、一暴露出部分该第二部分的该第二漏极区的第六接触洞、以及一暴露出部分该第一电源线部的第七接触洞;一第三图案化导电层,设置于该保护层上,其中,该第三图案化导电层具有一第一漏极、第一源极、一第一电极部、一第二漏极以及一第二源极,该第一漏极经由该第一接触洞与该数据线部接触以及该第二接触洞与该第一部分的该第一漏极区接触,该第一源极经由该第三接触洞与该第一部分的该第一源极区接触以及该第四接触洞与该第二延伸部接触,该第一电极部设置于该第三电容部及该第四电容部上并与该第二源极连接,该第二源极经由该第五接触洞分别接触该第二部分的该第二源极区、该第四电容部以及该第一延伸部,以及该第二漏极经由该第六接触洞与该第七接触洞分别接触该第二部分的该第二漏极区与该第一电源线部;一发光层,设置于该第一电极部上;以及一第二电极部,设置于该发光层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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