[发明专利]半导体互连结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201310247932.1 申请日: 2013-06-20
公开(公告)号: CN104241194B 公开(公告)日: 2017-10-27
发明(设计)人: 周鸣 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/532
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 吴贵明,张永明
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请提供了一种半导体互连结构及其制作方法。该制作方法包括在半导体器件层上形成第一介质层;在第一介质层上形成金属互连层,并对金属互连层进行化学机械抛光;以硼氮有机化合物为原料,利用等离子体化学气相沉积法在金属互连层上形成硼氮膜;在半导体器件层具有硼氮膜的表面上形成金属粘附层;在金属粘附层上形成扩散阻挡层;在扩散阻挡层上形成第二介质层。金属互连层与金属粘附层之间形成硼氮膜,硼氮膜中硼氮形成的环状结构降低了硼氮膜与金属互连层以及硼氮膜与金属粘附层之间的接触应力,进而增加了相互之间的附着力;硼氮膜的介电常数较小,不会增强第一介质层和第二介质层之间的寄生电容,提高了具有其的半导体器件的信号传输速率。
搜索关键词: 半导体 互连 结构 及其 制作方法
【主权项】:
一种半导体互连结构的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:在半导体器件层上形成第一介质层;在所述第一介质层上形成金属互连层,并对所述金属互连层进行化学机械抛光,得到上表面与第一介质层上表面在同一平面的金属互连层;以硼氮有机化合物为原料,利用等离子体化学气相沉积法在所述金属互连层上形成硼氮膜;在所述半导体器件层具有所述硼氮膜的表面上形成金属粘附层;在所述金属粘附层上形成扩散阻挡层;在所述扩散阻挡层上形成第二介质层。
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