[发明专利]蚀刻嵌在玻璃中的牺牲特征来制造微机电系统结构的方法在审
| 申请号： | 201310248896.0 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103626116A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | R.苏皮诺;G.H.罗登 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李涛;傅永霄 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 发明涉及蚀刻嵌在玻璃中的牺牲特征来制造微机电系统结构的方法。在一个实施例中，提供了一种制造微机电系统结构的方法。所述方法包括：在最接近硅基板的第一表面的掺杂层中制造加工结构。所述硅基板的第一表面被结合到第一平面玻璃结构上，一个或更多个第一牺牲特征被嵌入在所述第一平面玻璃结构中。所述方法还包括：进行蚀刻从而移除硅基板的主体，其中所述主体为所述硅基板上面的第一表面的倒像，其中蚀刻移除硅基板的主体并且剩留下了结合在所述第一平面玻璃结构上的加工结构。所述方法还包括：进行蚀刻从而从所述第一平面玻璃结构上面移除一个或更多个第一牺牲特征。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 玻璃 中的 牺牲 特征 制造 微机 系统 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制造微机电系统结构的方法，所述方法包括：在最接近硅基板的第一表面的掺杂层中制造加工结构，其中所述硅基板的掺杂层被改性地p型掺杂；将所述硅基板的第一表面结合到其中嵌入有一个或更多个第一牺牲特征的第一平面玻璃结构上；进行蚀刻从而移除硅基板的主体，其中所述主体是所述硅基板上面的第一表面的倒像，其中蚀刻移除了所述主体并且剩留下被结合到第一平面玻璃结构上的加工结构，且其中至少部分地使用相对于更高掺杂的硅而言选择性地蚀刻掺杂更少的硅的选择性蚀刻剂执行进行蚀刻从而移除硅基板的主体的步骤；并且进行蚀刻从而从第一平面玻璃结构上移除一个或更多个第一牺牲特征，其中使用相对于更高掺杂的硅而言选择性地蚀刻掺杂更少的硅的选择性蚀刻剂执行进行蚀刻从而移除一个或更多个第一牺牲特征的步骤。
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