[发明专利]反向导通IGBT有效
| 申请号： | 201310248906.0 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103515427B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | A.毛德;F.D.普菲尔施;C.舍费尔;D.韦贝尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 马永利,刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及反向导通IGBT。一种半导体器件包括第一导电类型的第一发射极区域，与第一导电类型互补的第二导电类型的第二发射极区域，以及布置在半导体本体中的第二导电类型的漂移区域。第一发射极区域和第二发射极区域布置在漂移区域和第一电极之间并且均连接到第一电极。单元区域的器件单元包括毗邻漂移区域的第一导电类型的本体区域，毗邻本体区域的第二导电类型的源极区域，以及毗邻本体区域并且通过栅极电介质与本体区域电介质绝缘的栅极电极。第二电极电连接到源极区域和本体区域。第一导电类型的浮置寄生区域布置在单元区域外部。 | ||
| 搜索关键词： | 向导 igbt | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一发射极区域，与第一导电类型互补的第二导电类型的第二发射极区域，以及布置在半导体本体中的第二导电类型的漂移区域；第一电极，其中第一发射极区域和第二发射极区域布置在漂移区域和第一电极之间并且均连接到第一电极；包括至少一个器件单元的单元区域，所述至少一个器件单元包括毗邻漂移区域的第一导电类型的本体区域，毗邻本体区域的第二导电类型的源极区域，以及毗邻本体区域并且通过栅极电介质与本体区域电介质绝缘的栅极电极；第二电极，其电连接到所述至少一个器件单元的源极区域和本体区域；布置在单元区域外部第一导电类型的至少一个第一寄生区域；以及在单元区域中位于至少一个器件单元之间的第一导电类型的浮置半导体区域；其中所述至少一个第一寄生区域是浮置的；以及其中第二发射极区域配置为提供经由二极管在第一和第二电极之间完全在单元区域内的导电路径，所述二极管在器件单元的反向偏置模式下被正向偏置，所述二极管包括在本体区域和漂移区域之间的pn结和第二发射极区域。
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