[发明专利]反应腔

摘要

本发明公开了一种反应腔。所述反应腔包括位于所述反应腔顶部的喷淋头和位于所述反应腔底部且正对所述喷淋头的基座；在所述喷淋头上加载电势成为正极，在所述喷淋头下方设置一负极，从而形成了一电场，这有助于减少甚至杜绝反应正离子向着喷淋头的下表面扩散，从而有效的减少了附着在喷淋头的下表面上的微粒的数量，乃至不会形成微粒附着，从而降低了对生长膜层的影响，提高了成膜质量。

主权项

一种反应腔，用于III‑V族材料外延沉积的MOCVD工艺，所述反应腔包括位于所述反应腔顶部的喷淋头和位于所述反应腔底部且正对所述喷淋头的基座；其特征在于，所述喷淋头上加载电势后作为正极，所述反应腔中低于所述喷淋头的位置还设置有一负极。