[发明专利]一种高稳定性的薄膜电阻器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310250721.3 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103325507B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 杨俊锋;庄严;庄彤;冯毅龙;丁明健;李杰成 | 申请（专利权）人： | 广州天极电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C7/06 |
| 代理公司： | 广州圣理华知识产权代理有限公司44302 | 代理人： | 李唐明 |
| 地址： | 510000 广东省广州市海珠区大干围*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高稳定性的薄膜电阻器及其制造方法，其中，薄膜电阻器由基板，附着于基板上表面的薄膜电阻层，附着于基板下表面的下电极，以及附着于薄膜电阻层上表面的上电极组成。其方法是通过对电阻器的电阻温度系数进行特殊的控制，从而大幅降低电阻温度系数的薄膜电阻器。本发明解决现有薄膜电阻器稳定性比较差，不能满足高稳定性的要求的技术问题。本发明具有精度高、频率高，以及体积小等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定性 薄膜 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高稳定性的薄膜电阻器，其特征在于：所述高稳定性的薄膜电阻器由基板，附着于基板上表面的薄膜电阻层，附着于基板下表面的下电极，以及附着于薄膜电阻层上表面的上电极组成；所述薄膜电阻层由AlN薄膜层和TaN薄膜层组成；所述AlN薄膜层附着于基板的上表面，所述TaN薄膜层附着于AlN薄膜层的上表面；所述上电极附着于TaN薄膜层的上表面；所述上电极由两块组成；电极块之间通过TaN薄膜层连接在同一个表面上；所述膜电阻器的电阻温度系数为零0±30ppm/℃。
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