[发明专利]一种过饱和掺杂高效异质结电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种过饱和掺杂高效异质结电池及其制造方法，电池包括晶硅、正电极、从上至下依次位于晶硅背面的非晶硅薄膜、导电薄膜和金属电极，晶硅上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅-硒掺杂层，正电极位于硅-硒掺杂层上，制作方法包括：晶硅衬底中过饱和的掺入硒元素，形成上表面硅-硒掺杂层；在硅-硒掺杂层上制备正电极；在晶硅背面制备非晶硅薄膜；在非晶硅薄膜上依次制备导电薄膜和金属电极。本发明的优点是电池晶硅上表面掺入过饱和硒元素形成硅-硒掺杂层，不但能够有效抑制深能级杂质的非辐射复合，减小其对载流子寿命的危害，突破S-Q理论极限，而且背面形成BSF结构，增加长波吸收提高短路电流，从而提高电池的光电转换效率。

主权项

一种过饱和掺杂高效异质结电池，包括晶硅3、正电极1、从上至下依次位于晶硅背面的非晶硅薄膜、导电薄膜6和金属电极7，其特征在于：所述晶硅3上表面为掺入过饱和硒元素形成的硅‑硒掺杂层2，所述正电极1位于硅‑硒掺杂层2上。