[发明专利]气体喷淋头以及气相沉积反应腔

摘要

本发明涉及一种应用于III-V族化合物材料沉积反应腔的气体喷淋头，所述反应腔包括气体反应区域，所述气体喷淋头邻近所述反应区域设置，所述气体喷淋头用于向所述反应区域输运反应气体，所述气体喷淋头包括III族源气体腔和V族源气体腔，所述V族源气体腔设置于所述反应区域的一侧，所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧。本发明还提供了一种气相沉积反应腔，所述气相沉积反应腔包括反应腔和上述的气体喷淋头。采用本发明的所述气体喷淋头可以提高V族源气体的利用率；并且，可以防止III族源气体过快分解，从而提高沉积效率；此外，所述气体喷淋头没有设置其它冷却腔，简化了气体喷淋头的结构。

主权项

一种应用于III‑V族化合物材料沉积反应腔的气体喷淋头，所述反应腔包括气体反应区域，所述气体喷淋头邻近所述反应区域设置，所述气体喷淋头用于向所述反应区域输运反应气体，其特征在于：所述气体喷淋头包括III族源气体腔和V族源气体腔，所述V族源气体腔设置于所述反应区域的一侧，所述V族源气体腔与所述反应区域之间未设置冷却腔，所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧，所述III族源气体腔与所述V族源气体腔之间未设置冷却腔。