[发明专利]开关电路、开关系统、控制器电路以及电功率转换装置有效

专利信息
申请号: 201310251209.0 申请日: 2013-06-21
公开(公告)号: CN103516341B 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 安德烈·康斯坦丁诺夫 申请(专利权)人: 飞兆半导体公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 浦彩华;姚开丽
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了用于功率变换应用的开关电路、开关系统、控制器电路以及电功率转换装置的新设计。用于功率变换应用的开关电路,所述开关电路包括第一基于硅的双极型开关装置和包括宽带隙半导体的第二开关装置,所述第一和第二开关装置是并联连接的。将主硅双极型开关并联连接于由宽带隙材料形成的缓冲开关(snubber switch)。在主硅开关的接通和/或关闭期间启动缓冲开关以便最大限度地减少开关损耗和分路安全操作区域限制。
搜索关键词: 开关电路 开关 系统 控制器 电路 以及 电功率 转换 装置
【主权项】:
1.一种开关电路,所述开关电路包括:基于硅的双极型第一开关装置,所述第一开关装置具有接通状态和关闭状态,对所述接通状态或所述关闭状态的选择是基于施加到所述第一开关装置的单个控制电极的信号的;包括宽带隙半导体的第二开关装置,所述第一开关装置和所述第二开关装置是并联连接的,其中,所述第二开关装置包括级联电路,所述级联电路包括低电压硅金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET和宽带隙场效应晶体管,所述低电压硅MOSFET和所述宽带隙场效应晶体管在共同封装中,所述低电压硅MOSFET具有由齐纳二极管钳位的源极端子和漏极端子;和控制器电路,配置所述控制器电路以在触发所述第一开关装置的接通状态或关闭状态中的至少一个之前触发所述第二开关装置,使得在所述第一开关装置的接通状态或关闭状态中的至少一个期间启动所述第二开关装置;其中,配置所述控制器电路以在接通所述第一开关装置以后启动所述第二开关装置一段时间,所述一段时间持续所述第一开关装置的接通期的至少四分之一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞兆半导体公司,未经飞兆半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310251209.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top