[发明专利]提升磁材料性能的方法、磁传感装置的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310251782.1 申请日: 2013-06-21
公开(公告)号: CN104241519B 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 张挺;杨鹤俊 申请(专利权)人: 上海矽睿科技有限公司
主分类号: H01L43/12 分类号: H01L43/12;H01L43/08
代理公司: 上海金盛协力知识产权代理有限公司31242 代理人: 王松
地址: 201815 上海市嘉*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭示了一种提升磁材料性能的方法、磁传感装置的制备方法,所述磁传感装置的制备方法包括在基底上依次沉积多层绝缘介质层,其中,最后沉积的一层绝缘介质层厚度小于50纳米,具有非晶结构,在该绝缘介质层上设置磁材料,提升材料磁性能。所述方法还包括在磁材料薄膜上设立一层或者多层的保护层材料,与磁材料直接接触的保护层材料具有高电阻或者具有非晶的结构。本发明在提升AMR等磁材料磁性能的同时又不影响器件制造工艺,不引入新的工艺和材料,有助于提升器件的性能和竞争力。
搜索关键词: 提升 材料 性能 方法 传感 装置 制备
【主权项】:
一种提升磁材料性能的方法,其特征在于,所述方法包括:在基底上依次沉积多层绝缘介质层,其中,最后沉积的一层绝缘介质层厚度小于100纳米,具有非晶结构,在该介质层上设置磁材料,通过上述最后沉积的一层绝缘介质层与磁材料接触提升材料磁性能。
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