[发明专利]一种用于托卡马克装置的碳基钨涂层的制备方法有效
| 申请号： | 201310252774.9 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN103352222A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 练友运;刘翔;宋久鹏 | 申请（专利权）人： | 核工业西南物理研究院 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C14/35;C23C16/14 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 11007 | 代理人： | 莫丹 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于托卡马克装置的碳基钨涂层的制备方法，其包括如下步骤：（a）对碳材料工件表面预处理；（b）将表面预处理后的碳材料工件放入镀膜设备中，加热后进行等离子体清洗，再利用磁控溅射制备过渡层；（c）将沉积了过渡层的碳材料工件置入化学气相沉积设备中沉积钨涂层。本发明采用碳材料-过渡层-钨涂层结构，过渡层可以解决钨和碳之间在高温下由于扩散而生成脆性碳化钨的缺点；并且快速沉积的厚钨涂层与基体结合良好，可以承受5s脉冲、1-5MW/m2的热负荷。用本发明的碳基钨涂层具有非常优良的抗热冲击性能以及耐热疲劳性能。本发明提出的碳基钨涂层适用于托卡马克装置第一壁和偏滤器位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 马克 装置 碳基钨 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于托卡马克装置的碳基钨涂层的制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：（a）对碳材料工件表面预处理，即通过不同等级的金相砂纸打磨，超声波水清洗、酒精清洗，在100℃烘烤5～10个小时，干燥除气；（b）将步骤（a）表面预处理后的碳材料工件放入镀膜设备中，加热到100～300℃，然后进行等离子体清洗，再利用磁控溅射制备过渡层，所述过渡层为Si层、Cr层或Mo层，过渡层厚度2～10μm；（c）将步骤（b）沉积了过渡层的碳材料工件置入化学气相沉积设备中沉积钨涂层，以六氟化钨和氢气作为反应气体，沉积温度600～700℃，钨涂层厚度0.1～2mm。
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