[发明专利]同步整流自驱动电路和电路的分压方法有效
申请号: | 201310252829.6 | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN103368364A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 徐尚俊 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 黄厚刚 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种同步整流自驱动电路和电路的分压方法,属于电子技术领域。所述电路包括:第二电容和第三二极管,其中,所述第二电容串联在所述辅助绕组的异名端和所述第一电容之间,所述第三二极管与所述第二电容并联,使得所述第二电容和所述第三二极管的一端与所述辅助绕组的异名端相连,所述第二电容和所述第三二极管的另一端与所述第二驱动MOSFET管的栅极相连;当所述第一驱动MOSFET管导通,且所述辅助绕组的同名端为正,所述辅助绕组的异名端为负时,所述第一电容和所述第二电容用于对所述驱动MOSFET管漏极上产生的负压进行分压。 | ||
搜索关键词: | 同步 整流 驱动 电路 方法 | ||
【主权项】:
一种同步整流自驱动电路,包括第一驱动MOSFET管、第二驱动MOSFET管和倍压电路,所述倍压电路包括辅助绕组,第一电容、第一二极管和第二二极管,所述辅助绕组的同名端连接所述第一驱动MOSFET管的栅极,所述辅助绕组的异名端连接所述第一电容的一端和所述第二驱动MOSFET管的漏极,所述第一电容的另一端连接所述第一二极管和所述第二二极管,所述第一二极管的另一端接地,所述第二二极管的另一端与所述第二驱动MOSFET管的栅极相连,其特征在于,所述同步整流自驱动电路还包括:第二电容和第三二极管,其中,所述第二电容串联在所述辅助绕组的异名端和所述第一电容之间,所述第三二极管与所述第二电容并联,使得所述第二电容和所述第三二极管的一端与所述辅助绕组的异名端相连,所述第二电容和所述第三二极管的另一端与所述第二驱动MOSFET管的栅极相连;当所述第一驱动MOSFET管导通,且所述辅助绕组的同名端为正,所述辅助绕组的异名端为负时,所述第一电容和所述第二电容用于对所述驱动MOSFET管漏极上产生的负压进行分压。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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