[发明专利]进气装置及等离子体加工设备在审
申请号: | 201310253092.X | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN104233229A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 彭宇霖 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供的进气装置及等离子体加工设备,其包括进气单元和气源,气源经由进气单元向反应腔室的内部提供工艺气体;进气单元包括设置在反应腔室顶部的中央进气嘴以及设置在所述反应腔室的侧壁上的边缘进气嘴组,其中,中央进气嘴分别与气源和反应腔室连通,用以向反应腔室的中心区域喷出工艺气体;边缘进气嘴组包括沿反应腔室的周向排列,且彼此相互独立的至少两个边缘进气嘴,用以向反应腔室的边缘区域喷出工艺气体。本发明提供的进气装置,其可以进一步提高朝向反应腔室边缘区域流动的工艺气体的流量,以使反应腔室边缘区域和中心区域的工艺气体的分布趋于均匀,从而可以提高等离子体加工设备的工艺均匀性。 | ||
搜索关键词: | 装置 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】:
一种进气装置,包括进气单元和气源,所述气源经由所述进气单元向反应腔室的内部提供工艺气体;所述进气单元包括设置在所述反应腔室顶部的中央进气嘴,所述中央进气嘴分别与所述气源和反应腔室连通,用以向所述反应腔室的中心区域喷出工艺气体;其特征在于,所述进气单元还包括设置在所述反应腔室的侧壁上的边缘进气嘴组,所述边缘进气嘴组包括沿所述反应腔室的周向排列,且彼此相互独立的至少两个边缘进气嘴,用以向所述反应腔室的边缘区域喷出工艺气体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
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