[发明专利]直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法在审
申请号: | 201310253516.2 | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN103352210A | 公开(公告)日: | 2013-10-16 |
发明(设计)人: | 张燕辉;于广辉;陈志蓥;王彬;张浩然 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | C23C16/56 | 分类号: | C23C16/56;C23C16/26;G01N1/32 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人: | 黄志达 |
地址: | 200050 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法,包括:将未转移的CVD石墨烯连同金属衬底一起放入氧化性溶液中,石墨烯褶皱以及其他缺陷处的金属衬底会被氧化,然后将氧化后的CVD石墨烯连同金属衬底置于光学显微镜下观察即可。本发明的方法重复性高、简单易行;本发明可以使处理前需要超高放大倍数显微镜才能观察到纳米级缺陷分布在低放大倍数光学显微镜下清晰显现出来。 | ||
搜索关键词: | 直观 显示 金属 衬底 cvd 石墨 表面 缺陷 分布 方法 | ||
【主权项】:
一种直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法,包括:将未转移的CVD石墨烯连同金属衬底一起放入氧化性溶液中,石墨烯褶皱处的金属衬底会被氧化,然后将氧化后的CVD石墨烯连同金属衬底置于光学显微镜下观察即可。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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