[发明专利]用于在等离子体处理系统中控制等离子体的方法和装置

摘要

本发明涉及用于在等离子体处理系统中控制等离子体的方法和装置，具体公开了用于在多频率等离子体处理室中处理衬底的方法和装置。基极RF信号在高功率电平和低功率电平之间施加脉冲。在基极RF信号施加脉冲时，非基极RF发生器中的每一个响应于控制信号前摄地（proactively）在第一预定义功率电平和第二预定义功率电平之间切换。替代地或另外地，在基极RF信号施加脉冲时，非基极RF发生器中的每一个响应于控制信号前摄地在第一预定义RF频率和第二预定义RF频率之间切换。本发明公开了用于在生产时间之前为非基极RF信号确定第一和第二预定义功率电平和/或第一和第二预定义RF频率的技术。

主权项

一种用于在具有至少一个电极的等离子体处理室中处理衬底的方法，所述等离子体处理室具有被耦合来为所述电极提供多个RF信号的多个RF电源，所述方法包括：使基极RF脉冲信号以第一脉冲频率在高功率电平和低功率电平之间施加脉冲，所述基极RF脉冲信号代表所述多个RF信号中具有所述多个RF信号的脉冲频率中的最低脉冲频率的第一RF信号，所述第一脉冲频率不同于所述基极RF脉冲信号的RF频率；将控制信号至少发送给所述多个RF电源的子集，其中在处理所述衬底时，所述控制信号以不需要对由于所述基极脉冲信号的所述施加脉冲而来的一或多个室参数的改变进行感测的方式前摄地产生；以及响应于所述控制信号，在第一预定义RF电源特定功率电平和不同于所述第一预定义RF电源特定功率电平的第二预定义RF电源特定功率电平之间，使多个所述RF电源的所述子集中的每一个施加脉冲。