[发明专利]一种高效、超低压的集成化有源全波整流器

摘要

本发明提供一种高效、超低压的集成化有源全波整流器，包括负电压转换器，用于将正弦输入的负半波电流转化为正半波电流；有源二极管电路，与所述负电压转换器连接，用于控制所述正半波电流的方向。本发明的方案使有源全波整流器具有低电压，低功耗，高效率，并且有源全波整流器的工艺偏差对该有源全波整流器的输出电压值的影响很小。

主权项

一种高效、超低压的集成化有源全波整流器，其特征在于，包括：负电压转换器，用于将正弦输入的负半波电流转化为正半波电流；有源二极管电路，与所述负电压转换器连接，用于控制所述正半波电流的方向；所述负电压转换器包括：第一NMOS晶体管(MN1)、第二NMOS晶体管(MN2)、第三NMOS晶体管(MN3)、第四NMOS晶体管(MN4)、第一PMOS晶体管(MP1)、第二PMOS晶体管(MP2)，其中，所述第一NMOS晶体管(MN1)的源极和第二NMOS晶体管(MN2)的源极接地，所述第一NMOS晶体管(MN1)的栅极和第二NMOS晶体管(MN2)的漏极与第二输入电压(Vin2)连接，所述第二NMOS晶体管(MN2)的栅极和第一NMOS晶体管(MN1)的漏极与第一输入电压(Vin1)连接，并且所述第一NMOS晶体管(MN1)的衬底和第二NMOS晶体管(MN2)的衬底接地；所述第一PMOS晶体管(MP1)的源极和第二PMOS晶体管(MP2)的源极相连作为输出电压Vnvc，所述第一PMOS晶体管(MP1)的栅极和第二PMOS晶体管(MP2)的漏极与第二输入电压(Vin2)连接，所述第二PMOS晶体管(MP2)的栅极和第一PMOS晶体管(MP1)的漏极与第一输入电压(Vin1)连接，并且所述第一PMOS晶体管(MP1)的衬底和第二PMOS晶体管(MP2)的衬底与所述第三NMOS晶体管(MN3)的源极相连；所述第三NMOS晶体管(MN3)的漏极与其栅极短接，所述第四NMOS晶体管(MN4)的漏极与其栅极短接，所述第三NMOS晶体管(MN3)的源极与所述第四NMOS晶体管(MN4)的漏极相接作为所述第一PMOS晶体管(MP1)和第二PMOS晶体管(MP2)的衬底偏置，所述第四NMOS晶体管(MN4)的源极接地，并且所述第三NMOS晶体管(MN3)的衬底和第四NMOS晶体管(MN4)的衬底接地。