[发明专利]芯片测试方法和装置有效
申请号: | 201310254112.5 | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN104237766B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 周彦杰;王亦农;潘松;史卫东 | 申请(专利权)人: | 上海东软载波微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 200235 上海市徐汇区龙*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种芯片测试方法和装置,涉及芯片测试领域,其中方法包括对芯片进行第一晶圆级测试;若所述第一晶圆级测试通过,则在所述芯片的闪存模块第一指定位置写入第一晶圆级测试通过的第一标识信息;读取所述第一标识信息,进行第二晶圆级测试,若所述第二晶圆级测试通过,则在所述芯片的闪存模块第二指定位置写入第二标识信息;读取所述第二标识信息,进行成品级测试,若所述成品级测试通过,则在所述芯片的闪存模块第三指定位置写入成品级测试通过的第三标识信息;读取所述第三标识信息,进行出库测试。本发明方案解决了现有技术中对带闪存模块的芯片的测试过程中易出现遗漏某道测试而导致芯片质量不高,造成资源浪费的问题。 | ||
搜索关键词: | 芯片 测试 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种芯片测试方法,其特征在于,包括:对芯片进行第一晶圆级测试;若所述第一晶圆级测试通过,则在所述芯片的闪存模块第一指定位置写入第一晶圆级测试通过的第一标识信息;读取所述第一标识信息,对所述芯片进行第二晶圆级测试,若所述第二晶圆级测试通过,则在所述芯片的闪存模块第二指定位置写入第二晶圆级测试通过的第二标识信息;读取所述第二标识信息,进行成品级测试,若所述成品级测试通过,则在所述芯片的闪存模块第三指定位置写入成品级测试通过的第三标识信息;读取所述第三标识信息,进行出库测试;其中,所述第一晶圆级测试包括闪存模块测试;所述闪存模块测试,包括:通过设置在所述芯片上的接口电路向所述闪存模块发送测试指令,以使所述接口电路根据所述测试指令对所述闪存模块进行测试,其中,所述测试指令包括写数据测试命令、读数据测试命令以及擦除测试命令中的至少一个指令;所述接口电路采用扩展的串行通信协议,具有SCK时钟信号线、SDA数据输入输出信号线,所述接口电路传输的数据中,每帧数据包括一个起始位和一个停止位,所述起始位和所述停止位中间为数据位,所述SCK时钟信号线为高电平时,所述SDA数据输入输出信号线的下降沿为所述起始位,所述SDA数据输入输出信号线的上升沿为所述停止位,所述接口电路在所述SCK时钟信号线的上升沿采集所述测试指令的数据;所述测试指令中的各指令均包含起始位、命令头及停止位,其中所述命令头指示测试命令的类型,所述命令头和停止位之间还设有数据域,所述数据域指示读或写或擦除数据的位置信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造