[发明专利]测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法有效
| 申请号： | 201310256206.6 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103354211A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;顾晓芳;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B15/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的利用P型源结构测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法，包括：在半导体衬底上建立测试模块矩阵；对测试模块矩阵中的各个测试模块区域进行离子注入，使各个测试模块的结构均形成PMOS/N型阱区结构；经光刻和刻蚀工艺，在各个测试模块上形成接触孔；平坦化接触孔后，采用电子束缺陷扫描仪在负负载条件下对接触孔进行缺陷检测，得到漏电影像特征图；根据漏电影像特征图测算栅极间的接触孔与多晶硅栅极的对准偏差值。本发明的方法不仅可以统计到接触孔和多晶硅栅极的对准偏差的缺陷分布图和严重程度，还可以为在线监控提供理论基础，为半导体器件的在线制造与良率提升提供保障。 | ||
| 搜索关键词： | 测算 接触 多晶 栅极 对准 偏差 方法 | ||
【主权项】：
一种测算接触孔与多晶硅栅极对准偏差值的方法，其特征在于，包括：步骤S01：在半导体衬底上建立测试模块矩阵；步骤S02：对所述测试模块矩阵中的各个测试模块区域进行离子注入，使所述各个测试模块的结构均形成PMOS/N型阱区结构；步骤S03：经光刻和刻蚀工艺，在所述各个测试模块上形成接触孔；步骤S04：平坦化所述接触孔后，采用电子束缺陷扫描仪在负负载条件下对所述接触孔进行缺陷检测，得到漏电影像特征图；步骤S05：根据漏电影像特征图测算所述栅极间的接触孔与所述多晶硅栅极的对准偏差值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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