[发明专利]具有氧化物半导体薄膜层的层叠结构的制造方法

摘要

一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。

主权项

1.一种层叠结构的制造方法，其特征在于，是包含成为薄膜晶体管的沟道层的氧化物层和绝缘层的层叠结构的制造方法，所述层叠结构的制造方法具有如下工序：(1)设置绝缘层的工序；(2)在所述绝缘层上，按照在20×20μm²中的Rrms即的范围的方式成膜氧化物薄膜的工序，所述氧化物薄膜由选自氧化铟、掺杂有Ga的氧化铟、掺杂有Al的氧化铟、掺杂有Zn的氧化铟、以及掺杂有Sn的氧化铟的材料构成；以及(3)在150～500℃下对所得的薄膜进行加热处理而制成所述氧化物层的工序，其中，利用如下所述的溅射方法进行所述工序(2)的氧化物薄膜的成膜，所述溅射方法如下所述：将基板依次搬送至与隔开规定间隔并排设置在真空腔内的3个以上的靶材相对向的位置，在对所述各靶材由交流电源交替施加负电位及正电位的情况下，在分支连接了来自所述交流电源的输出的至少1个的2个以上的靶材之间，边进行施加电位的靶材的切换，边在靶材上产生等离子而在基板表面进行成膜。